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La deposizione di ossido di silicio è un classico processo di deposizione di film dielettrici e si concretizza nella realizzazione di un sottilissimo film sulla superficie da trattare. Generalmente, la deposizione di ossido di silicio e altri processi di deposizione vengono effettuati in appositi macchinari non dissimili da quelli utilizzati per i processi di ossidazione. La differenza è, nel caso della deposizione di ossido di silicio, che il processo viene effettuato per cosiddetta diffusione.

La deposizione di ossido di silicio sulla superficie avviene di solito a partire da una sorgente liquida, e a temperature piuttosto alte (tra i 650 e i 750° a bassa pressione).

Caratteristiche della deposizione di ossido di silicio sono:

  • L’eccellente uniformità
  • L’ottima copertura delle asperità della superfici
  • Le buone proprietà fisiche del film depositato
  • La buona durezza superficiale (protezione meccanica)
  • L’alta resistenza all’aggressione degli agenti atmosferici, chimici, organici
  • La resistenza all’umidità
  • L’idrorepellenza della superficie trattate
  • L’inalterabilità delle caratteristiche fisico-chimiche della superficie

Trattamento ossido di silicio

Il trattamento all’ossido di silicio garantisce un’altissima protezione contro l’ossidazione e, al contempo, una netta riduzione della bagnabilità e dell’incollaggio delle superfici trattate.

È possibile asserire che il trattamento all’ossido di silicio produca un aumento della durezza superficiale del materiale, così come un’altissima resistenza ai processi ossidativi e una notevole stabilità termica. Il materiale così trattato è inoltre estremamente sicuro, tanto da essere considerato idoneo persino al contatto con alimenti.

In generale, il trattamento all’ossido di silicio consiste nell’apposizione di un rivestimento composto da una patina incolore dello spessore di pochi micrometri. Tale sottilissimo film viene applicato attraverso un processo denominato Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition, anche conosciuto con il termine PACVD.

Il termine PACVD può dunque essere tradotto come “deposizione chimica da vapore assistito al plasma” ed è, talvolta, conosciuto anche con il nome PECVD.

Possono essere sottoposti al trattamento all’ossido di silicio, e nello specifico alla deposizione ossido di silicio, numerosi materiali. Tra questi vanno annoverati:

  • Polimeri organici
  • Cromo
  • Ceramiche
  • Titanio
  • Alluminio
  • Magnesio
  • Leghe leggere
  • Acciai